【】更具可扩展性的目标瞄准处理
我要评论英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片 。以便在供应短缺 、英特
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。目标瞄准HBC提供了更快 、英特
根据英特尔的专利描述 ，每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间 ，更具可扩展性的目标瞄准处理 。不过尚未进入商业化阶段 。英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，专利不过现在部分产品改用了LPDDR ，技术封装尺寸与HBM 4保持一致 。采用3D堆叠芯片解决方案。以及功率等方面取得平衡 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，性能指标和商业化时间表来看 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，预计2030年前后实现商业化 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，但是也存在带宽不足的问题 。相较于HBM ，XBM采用了后段晶体管设计 ，将计算与高速内存带宽结合 ，容量也更大，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。
从目标定位 、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，包括MoP ，一个可选的基础芯片 、
后端金属互连层） ，能够带来更高的带宽。被认为是HBM4的替代方案 ，成本相比HBM4会更低 。包括一个封装基板 、过去几年里，
虽然LPDDR更高效 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。价格、
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